特許

J-GLOBAL ID：200903050723052354

電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法

発明者： 関 ▲琢▼巳
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338038
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140171
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】 製造工程数を増やすことなく、対向電極と画素電極との間の電位差に起因するフリッカの発生などを防止することのできる反射型あるいは半透過型の電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 液晶装置において、反射性画素電極661の上層側にITO膜からなる透光性画素電極662を形成するので、液晶が分極配向しない。また、Taからなる第1の中継電極68を介して透光性画素電極662と、Al膜からなる第2の上電極64bを電気的に接続させて、画素電極66と第2の上電極64bとの接続抵抗を低減する。また、Al膜の表面に酸化膜を形成しておき、ITO膜をパターニングする際、Al膜が侵されるのを防止し、かつ、画素電極66では、Al酸化膜/ITO膜が反射防止膜としての機能を発揮させる。

請求項（抜粋）：

信号線に電気的に接続する薄膜ダイオード素子、および該薄膜ダイオード素子を介して前記信号線に電気的に接続する島状の画素電極が複数、マトリクス状に形成された素子基板と、前記画素電極に対向する対向電極が透明導電材料から形成された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装置において、前記信号線は、第1の金属材料からなる給電線に重なるように形成された第2の金属材料からなり、前記薄膜ダイオード素子は、表面に陽極酸化膜が形成された前記第1の金属材料からなる島状の下電極と、前記信号線から延びて前記下電極に対して前記陽極酸化膜を介して部分的に重なる第1の上電極と、前記下電極に対して前記陽極酸化膜を介して部分的に重なる前記第2の金属材料からなる島状の第2の上電極とを備え、前記画素電極は、前記第2の金属材料からなる島状の反射性画素電極と、該反射性画素電極の上層側に前記透明導電材料から形成された島状の透光性画素電極とを備え、前記第2の上電極および前記透光性画素電極は、各々、前記第1の金属材料からなる島状の第1の中継電極に対して部分的に重なっていることを特徴とする電気光学装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 49/02

FI (6件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 49/02

Fターム (37件)：

2H092GA13 ,  2H092GA17 ,  2H092GA34 ,  2H092GA42 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA60 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA03 ,  2H092JA12 ,  2H092JB42 ,  2H092KA07 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA24 ,  2H092NA01 ,  2H092NA27 ,  2H092PA12 ,  5C094AA01 ,  5C094AA43 ,  5C094AA45 ,  5C094AA53 ,  5C094BA04 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5G435AA01 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435BB15 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09