特許

J-GLOBAL ID：200903050727294611

受光素子及びその製造方法

発明者： 荒井 千広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199783
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237912
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】受光素子の周波数特性を劣化させずに、短波長から長波長まで高い受光感度を有する受光素子を提供する。【解決手段】(A)半導体基板11に形成された、高濃度の第1導電型不純物を含有する第1の半導体層13A,13Bと、(B)該第1の半導体層の上に形成された、低濃度の第1導電型又は第2導電型不純物を含有する第2の半導体層14A,14Bと、(C)該第2の半導体層に形成された、第2導電型不純物を含有する第3の半導体層を備えた受光素子であって、該第3の半導体層は、(C-1)第2導電型不純物を含有する第1の領域18A,18B、及び、(C-2)第1の領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含有する第2の領域17A,17Bから成る。

請求項（抜粋）：

(A)半導体基板に形成された、高濃度の第1導電型不純物を含有する第1の半導体層と、(B)該第1の半導体層の上に形成された、低濃度の第1導電型又は第2導電型不純物を含有する第2の半導体層と、(C)該第2の半導体層に形成された、第2導電型不純物を含有する第3の半導体層、を備えた受光素子であって、該第3の半導体層は、(C-1)第2導電型不純物を含有する第1の領域、及び、(C-2)第1の領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含有する第2の領域、から成ることを特徴とする受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K