特許

J-GLOBAL ID：200903050727514557

縦型絶縁コレクタPNPトランジスタ構造

発明者： ドミニク・ボヌー ,  ミリアム・コムベ ,  アンソニー・ジエイ・ダリー ,  ピエール・モリエ ,  セイキ・オグラ ,  パスカル・タンオフ
出願人/特許権者： インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
代理人 (1件)： 頓宮 孝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-043721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041487
出願日： 1991年03月08日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高性能の縦型絶縁コレクタPNPトランジスタ構造を提供する。【構成】 エミッタ用P+領域45、ベース用N領域44、コレクタ用P-ウエル領域46を含み、P-ウエル領域46は、N+埋設層48とこれと接触するNリーチ・スルー領域47とからなるN型ポケットに囲繞され、P-ウエル領域46及びNリーチ・スルー領域47の接触領域46-1、47-1が短絡されて、共通金属接点59を画成する。P-ウエル領域46の厚さWは、N領域44、P-ウエル領域46及びN+埋設層48により形成される寄生NPNトランジスタのトランジスタ動作を許容するように最小限に抑えられる。この寄生PNPトランジスタを前記PNPトランジスタと並列的にPNPNサイリスタ構造が形成され、P-ウエル領域のコレクタ抵抗の増加により生じる問題が打ち消される。

請求項（抜粋）：

P基板(23)に形成される縦型絶縁コレクタPNPトランジスタ構造(58)であって、前記PNPトランジスタのエミッタ、ベース、コレクタをそれぞれ形成するP+領域(45)、N領域(44)、P-ウエル領域(46)を含むPNPトランジスタ構造において、前記P-ウエル領域が、N+埋設層(48)とこれと接触するリング状のNリーチ・スルー領域(47)とからなるNタイプのポケット内に囲繞され、前記Nリーチ・スルー領域および前記P-ウエル領域が電気的結合により短絡されてコレクタ電極(C)を画成することを特徴とするトランジスタ構造。

IPC (3件)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72