特許

J-GLOBAL ID：200903050734332715

エッチングモニター方法

発明者： 岩槻 正志
出願人/特許権者： 日本電子株式会社
代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-124469
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318243
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 試料表面の汚染や電子のチャージの影響を受けず、正確なエッチングモニターを行うことができるエッチングモニター方法を実現する。【解決手段】 デポジション機構10は、後ろ側にピエゾ圧電素子で構成された3次元駆動機構が設けられており、斜め方向から試料1の近傍まで導入チューブが入り込むように構成されている。このデポジション機構10を介して金属等の導電性材料を測定対象のコンタクトホールに注入して、試料表面のチャージの影響を除去し、試料に流れる電流を測定する。この測定された電流の値に基づき、試料表面の膜厚を求める。また、デポジション機構10を介して活性ガスを試料表面(コンタクトホール内)に注入することにより、試料表面の汚染物質の除去が可能となり、正確な電流の測定が可能となる。

請求項（抜粋）：

走査電子顕微鏡の試料室内に、エッチングプロセスを経てその表面の絶縁性膜にホールが形成された半導体デバイス試料を導入し、走査電子顕微鏡の観察下で試料の特定ホール領域に微細チューブを接近させ、微細チューブを通して試料の特定ホール領域に導電性材料のガスを導入するようにし、該試料の特定ホール領域に堆積された導電性材料を介して試料を流れる電流量を測定し、測定された電流量から試料表面に形成された膜の厚さを求めるようにしたエッチングモニター方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/28

FI (3件)：

H01L 21/66 P ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/28 B

Fターム (13件)：

4M106AA13 ,  4M106BA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA14 ,  4M106CA48 ,  4M106DH04 ,  4M106DH16 ,  4M106DH50 ,  5C033NN07 ,  5C033NP08 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04 ,  5C033UU08