特許

J-GLOBAL ID：200903050735292954

希土類をド-プした半導体構造及びその製造方法

発明者： ジョーン・ジェイ・ペカリ ,  ウォルター・ジェイ・バーフー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039658
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340504
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】発光ダイオード(LED)、レーザ、光増幅器のような光デバイスに特に役立つ希土類のドーパントを含む半導体構造及びその製造方法に関する。【解決手段】pn接合4の付近に位置づけられた領域5は、希土類元素でドーピングされる。本発明の半導体構造は、第1のp型領域2と第1のn型領域3とを有するpーn接合を半導体内に有する構造である。その上、その構造は前記P型領域及び前記n型領域の1つと結合している電荷ソースを含み、電荷キャリアーを供給して希土類原子を励起する。

請求項（抜粋）：

第1のp型領域と第1のn型領域を有する半導体内にpn接合を含む構造において、希土類元素がドープされた、pn接合付近に位置づけられている領域と、前記希土類原子を励起するための電荷キャリア手段とを備える構造。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/77 ,  H01S 3/18 670 ,  H01S 3/18 692

FI (4件)：

H01L 33/00 A ,  C09K 11/77 ,  H01S 3/18 670 ,  H01S 3/18 692

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光増幅装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-143644   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 特開昭62-268169