特許
J-GLOBAL ID：200903050735363037
マイクロ波イオン源
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218384
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083586
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 高い引き出し電流密度を得ることができるマイクロ波イオン源を提供する。【構成】 先細形状にしたアンテナ29と引き出し電極36の間にアンテナ29との間の空間をアンテナ先端方向に絞り込むようにすると共に引き出し電極36より低電位の中間電極33を設けている。そのため、生成されたプラズマ中の電子は中間電極33の電界で電子ビームとなりプラズマ生成に利用され、生成されたプラズマは中間電極33と引き出し電極36間の磁界により閉じ込められるため、中間電極33の引き出し口34から引き出し電極36の引き出し孔40の間で高密度のプラズマが生成される。そして高い引き出し電流密度を得ることができる。また中間電極33はアンテナ29との間の空間の断面積が引き出し口方向に漸次小さくなっていて流量抵抗が大きいため、同時に高いガス効率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
磁場形成手段による磁場とマイクロ波により所定ガスのプラズマが内部に生成される放電容器と、この放電容器内に前記マイクロ波を導入するよう設けられ且つ前記磁場形成手段の片磁極の磁路の一部をなす先細形状に形成されたアンテナと、このアンテナの先端に引き出し孔が対向するよう前記放電容器内に露出して設けられ且つ前記磁場形成手段の他磁極の磁路をなす引き出し電極と、この引き出し電極の引き出し孔と前記アンテナの先端との間に同軸中心の引き出し口を有すると共に前記アンテナとの間の空間の断面積が該引き出し口方向に漸次小さくするように設けられ且つ前記磁場形成手段の片磁極の磁路の一部をなし前記引き出し電極よりも低電位に保持される中間電極とを具備していることを特徴とするマイクロ波イオン源。
IPC (3件)：
H01J 37/08
, H01J 27/18
, H05H 1/46
