特許

J-GLOBAL ID：200903050735731605

絶縁カラ-を有するトレンチコンデンサおよびその製造方法

発明者： ラルス-ペーター ハイネック ,  トビアス ヤーコプス
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269054
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101049
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 絶縁カラーを有する改善されたトレンチコンデンサを提供する。【解決手段】 半導体メモリセルに使用するためのトレンチコンデンサであって、基板(10)に形成された溝(100)と、基板(10)に設けられた、第1のコンデンサプレートとしての領域と、コンデンサ誘電体としての、溝壁の誘電層(60)と、溝(100)に充填された、第2のコンデンサプレートとしての導電性充填材料(50)と、溝(100)の上部領域に形成された絶縁カラー(110)とを有し、前記誘電層(60)は絶縁カラー(110)を少なくとも部分的に取り囲むように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体メモリセルに使用するためのトレンチコンデンサであって、基板(10)に形成された溝(100)と、基板(10)に設けられた、第1のコンデンサプレートとしての領域と、コンデンサ誘電体としての、溝壁の誘電層(60)と、溝(100)に充填された、第2のコンデンサプレートとしての導電性充填材料(50)と、溝(100)の上部領域に形成された絶縁カラー(110)とを有し、前記誘電層(60)は絶縁カラー(110)を少なくとも部分的に取り囲む、ことを特徴とするトレンチコンデンサ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/04 C