特許

J-GLOBAL ID：200903050737862057

半導体装置

発明者： 青木 豊 ,  谷川 聡 ,  中川 洋恵
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018579
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232296
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 低応力性および耐熱性に優れた封止樹脂により樹脂封止された半導体装置を提供するものであり、特に低応力性および耐熱性に優れた透明封止樹脂により樹脂封止された光半導体装置を提供するものである。【構成】 熱硬化性樹脂、硬化剤成分および粒子径が0.5μm以下であり、ブチルアミンにより滴定した酸性度が0.01mmol/g以下であるシリカ粒子を含む樹脂組成物によって半導体素子を封止して半導体装置とする。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含む樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)熱硬化性樹脂。(B)硬化剤成分。(C)粒子径が0.5μm以下であり、ブチルアミンにより滴定した酸性度が0.01mmol/g以下であるシリカ粒子。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 7/18 KCL ,  C08L101/00