特許

J-GLOBAL ID：200903050742118331

導電性金属酸化物に基づく層

発明者： ヒエロニムス・アンドリーセン ,  ステフエン・レジイ
出願人/特許権者： アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
代理人 (1件)： 小田島 平吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043007
公開番号（公開出願番号）：特開2000-248366
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】 既存の方法より簡単で経済的であり、もっと厚い金属酸化物層の形成を可能にする基質上に導電性金属酸化物層を形成するための方法を提供すること。【解決手段】 水溶液中の金属塩を化学的に還元し、得られる水性金属分散液を洗浄の後に基質、好ましくはガラス上にコーティングし、コーティングされた層を酸化処理、例えば、加熱段階に付すことにより、基質上の導電性金属酸化物に基づく層を形成する。好ましい態様の場合、金属酸化物は酸化錫又は酸化錫と他の金属酸化物の混合物である。

請求項（抜粋）：

順に以下の段階:(a)少なくとも1つの型の金属塩を含有する水性媒体を調製し、(b)該金属塩を還元剤により化学的に還元して金属粒子の分散液を生ぜしめ、(c)該金属粒子の分散液を洗浄し、(d)該洗浄された分散液を基質上にコーティングし、それにより金属粒子を含有するコーティングされた層を得、(e)該コーティングされた層を酸化処理に付して金属酸化物粒子を含有する導電層を形成することを含んでなる基質上に導電性金属酸化物に基づく層を形成するための方法。

IPC (3件)：

C23C 20/06 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (3件)：

C23C 20/06 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B