特許
J-GLOBAL ID：200903050743386801
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048143
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045282
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハの表面にバンプを形成する方法及び装置に関し、ウェーハ表面に異常突起を生じることなく電気メッキによりウェーハ表面にバンプを形成することを目的とする。【構成】 先ずウェーハ1表面にメッキ下地の導電膜2をスパッタリング法により被着させる。導電膜2はウェーハ1の側面乃至裏面にも被着される。このウェーハ1表面にレジストパターン4を形成した後、このウェーハ1をその表面側を下に向けてウェーハ支持リング12上に水平にセットし、その裏面周縁部若しくは側面にカソード端子16を接触させ、噴流方式の電気メッキ法でウェーハ1表面側にバンプ5を形成する。
請求項（抜粋）：
ウェーハ(1) に該ウェーハ(1) の表面から側面乃至裏面に延在する導電膜(2) を被着する工程と、該ウェーハ(1) の表面にレジストパターン(4) を形成する工程と、該レジストパターン(4) をマスクとして該ウェーハ(1) の表面に電気メッキを施す工程とをこの順に含み、該電気メッキは噴流方式であり、且つ陰極を該ウェーハ(1) の側面若しくは裏面から取るものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/288
, H01L 21/321
