特許
J-GLOBAL ID：200903050747158935
窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237167
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079897
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム厚膜にクラックの入りにくく、かつ、窒化ガリウム厚膜を形成した後に基板を除去することが容易な、窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 水晶のzカット面またはzカット面となす角が10 ゚以内である面を表面とする基板として使用し、かつ、厚さ10μm以上の窒化ガリウム膜を結晶成長により形成する。基板表面に半導体層を成長させる方法としては、ハイドライド気相成長法が好ましい。
請求項（抜粋）：
Zカット面を表面とする水晶を基板として使用し、窒化ガリウム膜を結晶成長する工程と、前記基板を除去する工程とを少なくとも含むことを特徴とする窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01S 3/18
, H01L 33/00
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01S 3/18
, H01L 33/00 C
