特許

J-GLOBAL ID：200903050748533705

半導体装置及びその製造方法

発明者： 眞鍋 和孝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152966
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342789
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 製造マージンの確保が容易、また、微細化が容易なコンタクトホール構造を提供すること。【構成】 下層配線層102上に絶縁層103、上層配線層104及び絶縁層105を形成した後に、絶縁層105、上層配線層104及び絶縁層103を貫通して下層配線層102に到達するコンタクトホール106を開孔する。このコンタクトホール内に導電層107を埋設して上層配線層と下層配線層とを接続する。

請求項（抜粋）：

下層配線層(103)と、該下層配線層上に形成された絶縁層(102)と、該絶縁層上に形成された上層配線層(104)と、前記絶縁層及び前記上層配線層の連続する側壁により囲まれたコンタクトホール(106)内に形成された導電層(107)とを具備し、前記下層配線層と前記上層配線層とを前記導電層により接続するコンタクト構造を得るようにした半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-220952
  
• 特開昭62-118543
  
• 特開平2-040935