特許

J-GLOBAL ID：200903050751697174

強誘電体素子及び半導体装置

発明者： 横山 誠一 ,  伊藤 康幸 ,  牛久保 真帆 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-155651
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004181
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【解決手段】 基板1上に下部電極層4、層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜6及び上部電極層7をこの順で備えてなり、下部電極層4と強誘電体薄膜6との間に、Fe、Ti、Nb、Ta、W、Moからなる群から選択される金属元素の1つを含有する薄膜5を備える強誘電体素子。【効果】 残留分極が大きく、動作電圧、リーク電流が小さい強誘電体素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極層、層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜及び上部電極層をこの順で備えてなり、前記下部電極層と強誘電体薄膜との間に、Fe、Ti、Nb、Ta、W及びMoからなる群から選択される金属元素の少なくとも1つを含有する薄膜を備えることを特徴とする強誘電体素子。

IPC (9件)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/18

FI (6件)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/22 Z ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 Z