特許

J-GLOBAL ID：200903050756089342

化合物半導体の微細加工方法

発明者： 杉本 喜正
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162240
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031775
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体の微細加工特に、電子ビームを用いたマスクレスエッチングを提供する。【構成】 電子ビーム14と塩素ガス16を同時に照射してGaAs等のマスクレスエッチングを行う時に同時に、H2 Sガス13あるいはそのラジカルあるいはその原子状物質を基板表面に照射して電子ビームが照射されていない領域を塩素ガスエッチングから保護する。電子ビームの照射外のバックグラウンド塩素によるガスエッチングを制約でき、加工精度の良い所望の微細構造が形成できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の表面に電子線と反応性ガスとを同時に照射して該化合物半導体を加工するマスクレスエッチングにおいて、電子線と反応性ガスを照射するときに同時に、該反応性ガスによるガスエッチングを抑制するガスを照射する化合物半導体の微細加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-195071
  
• 特開平4-061291
  
• 特開平2-288333