特許
J-GLOBAL ID：200903050760373799
化合物半導体結晶薄膜の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-242499
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 表面平坦性が一層優れたGa原子を含むIII-V族化合物半導体結晶薄膜をシリコン基板上に作製する方法を提供しようとするものである。【構成】 シリコン基板上にトリエチルガリウムを用いてGa原子を含むIII-V族化合物半導体結晶薄膜を作製する方法において、成長温度を250〜350°Cの範囲で1層目の化合物半導体結晶薄膜を作製し、次いで、成長温度を675〜800°Cの範囲に昇温して2層目の化合物半導体結晶薄膜を作製することを特徴とするGa原子を含有するIII-V族化合物半導体結晶薄膜の作製方法である。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にトリエチルガリウムを用いてGa原子を含むIII-V族化合物半導体結晶薄膜を作製する方法において、成長温度を250〜350°Cの範囲で1層目の化合物半導体結晶薄膜を作製し、次いで、成長温度を675〜800°Cの範囲に昇温して2層目の化合物半導体結晶薄膜を作製することを特徴とするGa原子を含有するIII-V族化合物半導体結晶薄膜の作製方法。
IPC (3件)：
C30B 29/40 502
, C30B 25/02
, H01L 21/205
