気相堆積のための切頭サセプター

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-617240
公開番号（公開出願番号）：特表2002-544109
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2002年12月24日
要約：

【要約】気相堆積システムは、試薬ガスの下流通過を促進するための1つ以上のチャネルユニットを備える。気相堆積システムの反応器(23)は、サセプターステージ(32)下方における試薬ガス(5)の通過を促進するための1つ以上のチャネル(25)を有し得る。基板上でのエピタキシャル成長時における反応器内での配置のため、サセプターは切頭ステージ(35)および切頭面を有し得る。基板は切頭ステージの下端縁と一直線に配置され得ることにより、基板の上流の表面上における化学気相堆積を回避する。サセプターの1つ以上のチャネルは、反応器内における試薬ガスの下流への通過を促進する。反応器内における試薬ガスの気相堆積方法および下流への通過の促進方法も開示されている。

請求項（抜粋）：

基板上に物質を気相堆積させる方法において、 a)基板上縁部および基板下縁部を有する基板を準備する工程と、 b)基板をサセプターのステージ上に配置する工程であって、該サセプターは底面と切頭面とを有し、その切頭面が底面に対して傾斜して配置されており、サセプターは反応器内に配置されるためのものであり、その反応器は同反応器内に試薬ガス流を導入するための入口を有し、ステージは試薬ガス流に向かって傾斜しており、同ステージはステージ上縁部およびステージ下縁部を有し、該ステージ下縁部は試薬ガス流に関してステージ上縁部の上流に配置されており、前記切頭面は切頭面上縁部および切頭面下縁部を有し、該切頭面上縁部は試薬ガス流に関して切頭面下縁部の上流に位置し、前記ステージ下縁部と切頭面上縁部とが一致してノーズ先端部を画定している工程と、 c)前記反応器内に前記サセプターを配置する工程と、 d)前記反応器内に試薬ガス流を導入する工程とを備える方法。

IPC (3件)：

C30B 25/12 , C23C 16/52 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 25/12 , C23C 16/52 , H01L 21/205

Fターム (28件)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EG03 , 4G077EG24 , 4G077HA02 , 4G077TA12 , 4G077TB04 , 4G077TF02 , 4G077TG01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030FA10 , 4K030GA03 , 4K030KA45 , 4K030LA14 , 5F045AA02 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045DP07 , 5F045EM02

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-153597
特開昭63-188932
特開昭63-096912

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