特許
J-GLOBAL ID：200903050767695856
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-077856
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274403
出願日： 1995年04月03日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 活性層が量子井戸構造を採る半導体レーザにおいて、確実に自励発振が生じることができるようにする。【構成】 少なくとも第1のクラッド層2と、量子井戸構造による活性層3と、第2のクラッド層4a,4bと、活性層3にストライプ状の電流注入領域を形成するストライプ状の電流通路を形成する電流狭搾層5とが形成されてなる実屈折率導波型の半導体レーザにおいて、電流通路のストライプ幅が2μm〜5μm、水平方向の実効的屈折率の差が1×10-3〜5×10-3、活性層3のストライプ状の電流注入領域より外側での上記量子井戸構造の1ウエル当たりの光閉じ込め係数γと、ウエル数nとが、γ×n>0.09となるように選定する。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1のクラッド層と、量子井戸構造による活性層と、第2のクラッド層と、上記活性層にストライプ状の電流注入領域を形成するストライプ状の電流通路を形成する電流狭搾層とが形成されてなる実屈折率導波型の半導体レーザにおいて、上記電流通路のストライプ幅が2μm〜5μm、水平方向の実効的屈折率の差が1×10-3〜5×10-3、上記活性層のストライプ状の電流注入領域より外側での上記量子井戸構造の1ウエル当たりの光閉じ込め係数γと、ウエル数nとが、γ×n>0.09としたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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