ナノドットを具備する不揮発性メモリ素子及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-285165
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116166
出願日： 2006年10月19日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】ナノドットを具備する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。これにより、酸化層のカレントパスを単一化してリセット電流を安定化させることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

抵抗変換物質で形成された酸化層を含むメモリ素子であって、下部電極と、前記下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、前記酸化層内に形成され、前記酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、前記酸化層上に形成された上部電極とを備えることを特徴とするナノドットを具備する不揮発性メモリ素子。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (7件)：

5F083FZ10 , 5F083JA21 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19

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