ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224158
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 GaAs/AlGaAs積層系の選択ドライエッチングにおいて、AlGaAsの露出面上にAlNを生成させて選択性を確保する。【構成】 HEMTのゲート形成用のリセス5aを加工するプロセスにおいて、Cl2 /N2 混合ガスを用い、ウェハを70°C程度に加熱しながらn+ -AlGaAs層4上のn+ -GaAs層5をエッチングする。Ga,Asは塩化物の形で除去される。また、AsはNと化合物を形成しないが、Gaは蒸気圧の低い反応生成物GaNを与え、側壁保護に寄与する。n+ -AlGaAs層4が露出すると、その表面に蒸気圧の低いAlN堆積膜7が形成され、エッチングが停止する。AlN堆積膜7は、エッチング終了後に希ガスを用いてスパッタ・エッチングを行えば除去できる。

請求項（抜粋）：

基板上のアルミニウムを含む化合物半導体層の上に積層されたアルミニウムを含まない化合物半導体層を選択的にエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチングは放電解離条件下でハロゲン系活性種と窒素系活性種とを生成し得るエッチング・ガスを用いて行い、前記アルミニウムを含む化合物半導体層の露出表面上に窒化アルミニウムを生成させることにより停止させることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 F

前のページに戻る