特許
J-GLOBAL ID：200903050770550540
位相シフトマスクとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007306
公開番号（公開出願番号）：特開平7-219203
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 ハーフトーン方式の位相シフトマスクとその製造方法に関し、遮光領域からの漏洩光で所望のマスクパターンが消滅することを防止する。【構成】 チップ領域Aのマスクパターン4Aは半透明膜4からなり、スクライブライン領域Bのマスクパターン2Bと遮光領域Cは不透明膜2からなる位相シフトマスク。その製造方法は、透明基板1上に不透明膜2とレジスト膜3を順次形成した後、チップ領域Aのレジスト膜3を露光し、現像後、チップ領域Aの不透明膜2をエッチングで総て除去し、次に位相シフタを兼ねる半透明膜4を被着した後、残ったレジスト膜3を剥離し、その後、チップ領域Aとスクライブライン領域Bとをパターニングしてマスクパターン4A,2Bを形成するものである。
請求項（抜粋）：
チップ領域(A) とスクライブライン領域(B) からなる露光領域(AB)と、該露光領域(AB)の外側に接してこれを包囲する遮光領域(C) と、を有する位相シフトマスクにおいて、該チップ領域(A) には透明基板(1) 上に半透明膜(4) をパターニングしてなるマスクパターン(4A)が設けられ、該遮光領域(C) には該透明基板(1) 上に不透明膜(2) が被着されていることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
