特許
J-GLOBAL ID：200903050781610090
半導体記憶装置、データ記録装置、半導体記憶装置の制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270757
公開番号（公開出願番号）：特開2008-090933
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】記憶容量を増加させずにインプリントの発生を抑制して信頼性を向上するための対策を施した半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】半導記憶装置100は、記憶部10と、記憶部10に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する制御部20とを含む。記憶部10は、第1の分極状態と第2の分極状態に対応して2値データを記憶する不揮発性のメモリセルにより構成される第1の記憶領域12を含む。制御部20は、第1の記憶領域12に含まれるすべてのメモリセルについて、外部から入力される新たなデータ32に基づいて各メモリセルにデータを書き込む前に、当該メモリセルを第1の分極状態に分極させた後、さらに当該メモリセルを第2の分極状態に分極させる制御を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
記憶部と、前記記憶部に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する制御部とを含む半導体記憶装置であって、
前記記憶部は、
第1の分極状態と第2の分極状態に対応して2値データを記憶する不揮発性のメモリセルにより構成される第1の記憶領域を含み、
前記制御部は、
前記第1の記憶領域に含まれるすべてのメモリセルについて、外部から入力される新たなデータに基づいて各メモリセルにデータを書き込む前に、当該メモリセルを前記第1の分極状態に分極させた後、さらに当該メモリセルを前記第2の分極状態に分極させる制御を行うことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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