特許
J-GLOBAL ID：200903050784613375
複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091060
公開番号（公開出願番号）：特開平8-296042
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【解決手段】【課題】 磁気記録ヘッドの製造において、絶縁薄膜を形成するにあたり、大きな表面積にわたって厚みが均一で、ピンホールが生じにくく、そして強い電界に耐えることができ、かつ化学エッチング剤に対して耐性のある絶縁薄膜の堆積方法を提供する。【解決手段】 絶縁薄膜の或る成分元素を含有する材料からなるターゲットを使用し、好ましくは不活性ガスの第一のイオンビームをターゲットに向けて当て、ターゲット材料を分散させる。同時に、絶縁薄膜の他の成分元素を含有する第二のイオンビームを基板に向けて当てる。ターゲットからの材料と第二のイオンビーム内の元素が化学量論的に適正に反応し、絶縁薄膜として基板上に堆積する。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁薄膜を形成する方法であって、絶縁薄膜の成分元素を含有する材料で形成されたターゲットを設置するステップと、前記ターゲットに向けて第一のイオンビームを注ぎ、前記ターゲットからターゲット材を分散させるステップと、絶縁薄膜の他の成分元素を含有する第二のイオンビームを前記基板に向けて注ぐステップを含んでなり、前記ターゲットから分散されたターゲット材が前記第二のイオンビームの成分元素と反応して、絶縁薄膜として基板上に堆積するようにしたことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
C23C 14/46
, G11B 5/23
, G11B 5/31
, G11B 5/33
C23C 14/46 A
, G11B 5/23 D
, G11B 5/31 E
, G11B 5/33
