特許
J-GLOBAL ID：200903050789509622
ダイヤモンドのn型及びp型の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306803
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117088
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤモンド単結晶の基板又は膜にド-パントをド-ピングしてp型又はn型のダイヤモンドとすること。【構成】 ダイヤモンド単結晶にド-パントを接触させておき電子線を単結晶表面に当ててこれを活性化する。するとド-パントがダイヤモンドの内部へ拡散してゆきp型或はn型ダイヤモンドになる。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンドの表面にB、Al、N、P、Asなどのn型又はp型のド-パントを接触させておき、ダイヤモンドの表面に電子線を当てて表面を熱的あるいは物理的に活性化しダイヤモンドの内部にド-パントを拡散させるようにしたことを特徴とするダイヤモンドのn型及びp型の形成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C30B 31/06
, H01L 21/225
