結晶質薄膜の形成方法、結晶質薄膜の製造装置、薄膜トランジスタ、および光電変換素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-159394
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006487
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】成膜およびレーザアニール処理時のプロセスマージンを広げて、結晶粒径が大きく高品質で、かつ膜厚が大きい結晶質薄膜を形成する方法、および装置を提供する。【解決手段】結晶質薄膜の形成方法は、基板1上に結晶質シリコン膜5を形成する工程と、結晶質シリコン膜5上に、非晶質シリコン膜4を形成する工程と、E2≦E<E12の関係を満たすエネルギ密度Eで、非晶質シリコン膜4に向けてエキシマレーザ10を照射して非晶質シリコン膜4を結晶化する工程とを備える。非晶質シリコン膜4を完全に溶融するために必要なエネルギ密度の最小値をE2とし、結晶質シリコン膜5および非晶質シリコン膜4を完全に溶融するために必要なエネルギ密度の最小値をE12とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に結晶質の第1の薄膜を形成する工程と、前記第1の薄膜上に、第2の薄膜を形成する工程と、前記第2の薄膜を完全に溶融するために必要なエネルギ密度の最小値をE2とし、前記第1および第2の薄膜を完全に溶融するために必要なエネルギ密度の最小値をE12とするとき、E2≦E<E12の関係を満たすエネルギ密度Eで、前記第2の薄膜に向けてレーザを照射して前記第2の薄膜を結晶化する工程とを備える、結晶質薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/04

FI (3件)：

H01L21/20 , H01L31/04 X , H01L29/78 627G

Fターム (54件)：

5F051AA03 , 5F051CA15 , 5F051CB25 , 5F051CB29 , 5F051DA04 , 5F051GA03 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA04 , 5F052BA18 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA19 , 5F052GA02 , 5F052GB02 , 5F052GB03 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG11 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110NN02 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP22 , 5F110PP34 , 5F110PP36

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-239753 出願人：富士通株式会社
半導体受光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-220191 出願人：富士ゼロックス株式会社
成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-017076 出願人：日新電機株式会社

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