特許

J-GLOBAL ID：200903050791744094

エピタキシャル処理用基板、エピタキシャルウェハ、半導体装置およびエピタキシャル成長方法

発明者： ウエダ テツゾウ
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202695
公開番号（公開出願番号）：特開2003-119100
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：

【要約】【課題】 基板上にIII-V族窒化物を成長させた後も平坦で、続いて行う高性能装置の高歩留まり処理に適したウェハを提供する。【解決手段】 熱膨張係数(TEC)が異なる少なくとも2つの層を有する基板を、続いて行う半導体のエピタキシャル成長に使用する。一般的な例は、サファイア210の上でのIII-V族窒化物(InGaAlBNAsP合金半導体)のエピタキシャル成長である。エピタキシャル処理を行ったウェハは、III-V族窒化物エピタキシャル層214とサファイア210の温度の不一致に起因して成長後の冷却時に凸状に反ってしまう恐れがある。層状基板は、エピタキシャル層214と基板の上層210の温度の不一致を補償し、次の処理に適する平坦なウェハを高い歩留まりで実現することができる。

請求項（抜粋）：

異なる物質で構成される少なくとも2つの層を有し、これら少なくとも2つの層の熱膨張係数が異なる半導体基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4G077TK13 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF19 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12