半導体素子用ダイボンド材およびそれを用いた半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-324127
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の放熱性向上に対する高熱伝導性のダイボンド材はなかった。【解決手段】高分子化合物として、各種ポリオキサジアゾール(POD)、ポリベンゾチアゾール(PBT)、ポリベンゾビスチアゾール(PBBT)、ポリベンゾオキサゾール(PBO)、ポリベンゾビスオキサゾール(PBBO)、各種ポリイミド(PI)、各種ポリアミド(PA)、ポリフェニレンベンゾイミダゾール(PBI)などの高分子材料の中から選択した少なくとも1つの高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性グラファイトの粉末、粉砕片、裁断片を熱硬化性樹脂に添加して構成したダイボンド材8を用いて、ダイパッド部2と半導体素子3とをダイボンドしているので、半導体素子3より発せられた熱を効率よく放熱させることができる。

請求項（抜粋）：

高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性のグラファイト材を熱硬化性樹脂に添加したことを特徴とする半導体素子用ダイボンド材。

IPC (9件)：

C08L101/00 LTB , C01B 31/04 101 , C04B 35/52 , C08K 3/08 KAB , C08K 3/22 KAE , C08K 3/28 KAG , C08K 3/34 KAH , H01L 21/52 , C08L 63/00 NKU

FI (9件)：

C08L101/00 LTB , C01B 31/04 101 Z , C08K 3/08 KAB , C08K 3/22 KAE , C08K 3/28 KAG , C08K 3/34 KAH , H01L 21/52 E , C08L 63/00 NKU , C04B 35/54 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-305520
特開平1-272666
特開昭60-240764

前のページに戻る