特許
J-GLOBAL ID：200903050796211922
ダイヤモンド発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069201
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283434
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 低駆動電圧で高輝度の発光が得られるダイヤモンド発光素子を提供する。【構成】 銅板1上に導電性基板2が配置されており、両者はオーミック接合されている。導電性基板2の上には第1ダイヤモンド層3が形成されており、第1ダイヤモンド層3のB原子濃度は1019cm-3以上である。第1ダイヤモンド層3上には更に第2ダイヤモンド層4が形成されており、この第2ダイヤモンド層4は1011cm-2以上の結晶欠陥密度を有する。第2ダイヤモンド層4の上には第2電極5が形成されている。この第2電極5と銅板1との間に電源6を接続し、電圧を印加すると、第1ダイヤモンド層3のホールと第2電極5の電子とが第2ダイヤモンド層4の欠陥準位を介して結合して発光する。この場合に、第2ダイヤモンド層4中の欠陥準位は増加しているので、低駆動電圧でも高輝度が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体の第1ダイヤモンド層と、この半導体第1ダイヤモンド層に積層された第2ダイヤモンド層と、前記第1及び第2ダイヤモンド層に個別に給電する第1及び第2電極とを有し、前記第2ダイヤモンド層は1011cm-2以上の欠陥密度を有することを特徴とするダイヤモンド発光素子。
IPC (2件)：
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