特許
J-GLOBAL ID:200903050806043250
静電吸着装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
桑井 清一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-343031
公開番号(公開出願番号):特開平7-169825
出願日: 1993年12月15日
公開日(公表日): 1995年07月04日
要約:
【要約】【目的】 Heガスの流量に基づき電極への印加電圧を変化させ、吸着力を一定に保つ。【構成】 被処理基板1とステージ2との間隙にHe供給ライン4からHeガスを充填する。マスフローメータ6は、吸着力の低下によるHeガスの流量の増加量を検出し、制御回路11は直流電源10の印加電圧を大きくする。これにより、電極3による静電吸着力は増大し、全体として吸着力は一定に保たれる。
請求項(抜粋):
被処理基板が載置されるステージと、電圧を印加されることにより帯電し、被処理基板をステージに吸着させる静電吸着部と、被処理基板およびステージの間隙に熱伝導ガスを供給するガス供給部と、上記間隙に供給される熱伝導ガスの流量を検出するガス流量検出部と、ガス流量検出部により検出された熱伝導ガスの流量に基づき上記静電吸着部に印加する電圧を制御する制御部とを備えたことを特徴とする静電吸着装置。
IPC (4件):
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, H01L 21/203
, H01L 21/3065
引用特許:
審査官引用 (6件)
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半導体ウエハ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-181450
出願人:三菱電機株式会社
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特開平4-359539
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ウエハ温度制御方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-031794
出願人:株式会社日立製作所
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特開平3-102820
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特開平4-206546
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真空処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-255964
出願人:株式会社日立製作所
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