特許

J-GLOBAL ID：200903050821314472

半導体装置及びその製造方法

発明者： 向井 剛輝 ,  大塚 信幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063442
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260634
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 同一基板上に大きさの異なる複数の量子箱を形成した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体表面を有し、該表面の面内方向に関して格子定数が不均一である半導体基板と、半導体基板の表面上に散点状に配置され、半導体により形成された複数の微結晶体であって、半導体基板の表面の面内方向に関して大きさが不均一である微結晶体とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体表面を有し、該表面の面内方向に関して格子定数が不均一である半導体基板と、前記半導体基板の表面上に散点状に配置され、半導体により形成された複数の微結晶体であって、前記半導体基板の表面の面内方向に関して大きさが不均一である前記微結晶体とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 量子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-117625   出願人：ソニー株式会社