特許
J-GLOBAL ID：200903050822949080
半導体基板の表面処理装置及びその制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130486
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326480
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、無水HFを溶解、電離し得る非水溶媒にHFを溶解したHF溶液蒸気を用い、反応生成物を半導体基板表面に残さない半導体基板の表面処理装置及びその制御方法を得ることを目的とする。【構成】 HF溶液タンク2A内には、非水溶媒に無水HFを溶解させて調製したHF溶液7Aが収納されており、その周囲には、温度調節器12及び温度制御手段13が設けられ、HF溶液7Aの液温を調節している。HF溶液タンク2Aで発生したHF溶液蒸気は、HF溶液蒸気導入管3を介して反応チャンバ4に導かれ、シリコンウェハ8上に供給され清浄、エッチング等の表面処理が行われる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面にフッ化水素を導いて、半導体基板の表面処理を行う半導体基板の表面処理装置であって、フッ化水素を溶解、電離し得る非水溶媒に無水フッ化水素を溶解、蒸発させてフッ化水素溶液蒸気とする溶液タンクと、半導体基板が内部に配置され、上記フッ化水素溶液蒸気がこの半導体基板の表面に導かれ、半導体基板の表面処理が行われる反応チャンバとを備えたことを特徴とする半導体基板の表面処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
