特許
J-GLOBAL ID：200903050825074263
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247175
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077102
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、微細な多孔質領域を有する半導体装置の構造的強度を高めるとともに、微細多孔質領域の信号・エネルギー伝達機能を向上した半導体装置を実現することにあり、更に広くは、構造・組成の異なる多孔質領域を複数形成することにより、一種類の多孔質領域だけでは得られない複数の機能を共存両立させた半導体装置及びその製造方法を実現することにある。【構成】 多孔質部材を活性領域として有する半導体装置に於て、構造もしくは組成を異にする複数の前記多孔質領域1,2,3...を有することを特徴とする半導体装置であり、前記複数の多孔質領域間の、前記構造もしくは組成の変化が、不連続的(b)、又は連続的(c)であることを特徴とする。また、粗構造の前記多孔質領域に支えられた微細構造の前記多孔質領域を有して構成されることを特徴とする半導体装置でもある。
請求項（抜粋）：
多孔質部材を活性領域として有する半導体装置に於て、構造もしくは組成を異にする複数の前記多孔質領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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