特許

J-GLOBAL ID：200903050827493379

高記憶容量不揮発性メモリ

発明者： パオロ ローランディ
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140917
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057788
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 高信頼度の高記憶容量不揮発性メモリデバイスを提供することにある。【解決手段】 1セルにつきN≧2ビットの情報を記憶するよう構成された複数のマルチレベルメモリセルを具える少なくとも1つのメモリブロック(B0-B7)を含むメモリセルアレー(1)を具えるメモリデバイスである。前記少なくとも1つのメモリブロック(B0-B7)は1セルにつき1ビットの情報を記憶するよう構成された複数の電気的消去可能プログラマブルバイレベルメモリセルも含み、且つメモリデバイスに供給されるアドレス信号(A0-A21)に依存して、前記マルチレベルメモリセルの1つをアクセスし読み出すか、前記電気的消去可能プログラマブルバイレベルメモリセルのN個を同時にアクセスし読み出す手段(2,5,3)が設けられている。

請求項（抜粋）：

メモリセルのアレー(1)を具え、該アレーは1セルにつきN≧2ビットの情報を記憶するよう構成された複数のマルチレベルメモリセルを具える少なくとも1つのメモリブロック(B0-B7)を含んでいるメモリデバイスにおいて、前記少なくとも1つのメモリブロック(B0-B7)が1セルにつき1ビットの情報を記憶するよう構成された複数の電気的消去可能プログラマブルバイレベルメモリセルも含み、且つメモリデバイスに供給されるアドレス信号(A0-A21)に依存して、前記マルチレベルメモリセルの1つをアクセスし読み出すか、前記電気的消去可能プログラマブルバイレベルメモリセルのN個を同時にアクセスし読み出す手段(2,5,3)が設けられていることを特徴とするメモリデバイス。

FI (2件)：

G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 613