特許

J-GLOBAL ID：200903050830386575

シリコン半導体基板の製造方法

発明者： 白川 義徳 ,  遠藤 昭彦
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364287
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188326
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるSOI構造のシリコン単結晶基板の製造方法。【解決手段】素材のシリコン単結晶基板の酸化層形成位置に、ドーズ量1×1017〜5×1017/cm2の範囲の酸素イオンと、ドーズ量5×1014〜1×1017/cm2の範囲のフッ素イオンとを注入した後、1200°C以上融点以下の熱処理をおこなう。

請求項（抜粋）：

酸素イオンを注入した後熱処理してシリコン単結晶内に酸化物絶縁層を形成させる集積回路用基板の製造方法であって、素材のシリコン単結晶基板の酸化物層形成位置に、ドーズ量1×1017〜5×1017/cm2の範囲の酸素イオンと、ドーズ量5×1014〜1×1017/cm2の範囲のフッ素イオンとを注入した後、1200°C以上融点以下の熱処理をおこなうことを特徴とするシリコン半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/76 R ,  H01L 21/265 J

Fターム (4件)：

5F032AA07 ,  5F032DA43 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74