薄膜形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柏木慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279612
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093823
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】被処理基板上への薄膜の形成を良好に行う。【解決手段】少なくとも1種類が放電により電離分解された2種類以上のガスが成膜チャンバー1内で混合されることにより、それらのガス中に含まれる薄膜を形成する元素が成膜チャンバー1内で反応し、被処理基板6上への薄膜の形成が行われる。これらのガスは、成膜チャンバー1内で混合されるので、成膜チャンバー1内に到達する以前の段階で反応して薄膜と同じ成分の微粒子が形成されるということを防止でき、そのようにして形成された微粒子がガス供給管2,3の内面などに付着するとともにある程度の大きさになった後に剥離脱落して被処理基板6上に落下するということを防止でき、被処理基板6上への均一な膜厚の薄膜形成を安定して行える。

請求項（抜粋）：

内部に被処理基板が配置される成膜チャンバーと、前記成膜チャンバーに接続されて薄膜を形成する元素を含んだそれぞれ異なる種類のガスが供給される少なくとも2本のガス供給管と、少なくとも1本の前記ガス供給管内に対向配置された放電電極と、前記放電電極に接続された電源と、を有する薄膜形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/365 , C23C 16/509

FI (2件)：

H01L 21/365 , C23C 16/509

Fターム (25件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA47 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 5F045AA08 , 5F045AB22 , 5F045AC09 , 5F045AD08 , 5F045AE17 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045BB14 , 5F045DP03 , 5F045EC08 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EH13 , 5F045EH18 , 5F045EH19

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