特許

J-GLOBAL ID：200903050835168789

反射防止膜条件決定方法及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： 茂庭 明美 ,  寺澤 恒男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074984
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270329
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】光リソグラフィによるレジストパターン形成において、反射防止膜の光学定数と膜厚の最適化方法、及びこの条件に基づく反射防止膜を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】下層の膜構造の変動、及び反射防止膜のプロセス変動も含めたレジストへの反射率計算を繰り返し、ワーストケースでの反射率を求め、反射防止膜の種々の光学定数・膜厚の中からワーストケース反射率が小さくなる場合を選んで最適な反射防止膜条件とする。

請求項（抜粋）：

基板上に積層した被加工膜上の感光膜にエネルギ線を部分的に照射して上記感光膜内に潜像を形成する微細加工の、上記被加工膜及びその下の少なくとも一層からなる基板の光学定数、膜厚及び膜厚変動量を設定する下層構造入力工程と、反射防止膜形成プロセス上の光学定数変動量、膜厚変動量の少なくとも一つを入力する反射防止膜変動量入力工程と、上記下層構造入力工程と反射防止膜変動量入力工程で得られた膜厚変動量および光学定数変動量を考慮して上記感光膜への反射率計算をすることにより反射防止膜の光学定数及び膜厚を最適化する反射防止膜条件最適化工程を含むことを特徴とする反射防止膜条件決定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

FI (2件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 503