特許

J-GLOBAL ID：200903050838089456

シリコン積層体

発明者： 河野 尚毅
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300468
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153698
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 電気的特性の改善が図れかつシリコン膜が剥離し難いシリコン積層体を提供すること。【構成】 このシリコン積層体20は、焼結SiC基板21と、この表面に製膜されたSiCx (0<x<1)の中間膜22と、この中間膜22上に製膜された多結晶シリコン膜23とで構成されている。そして、中間膜22の作用により多結晶シリコン膜24の膜ストレスが低減され、かつ化学量論化合物であるSiCに較べ炭素原子の比率が少ないSiCx を中間膜として適用しているためSiの比率が高い分シリコンとの格子不整合が緩和され、これに伴い中間膜上に多結晶シリコン膜をエピタキシャル的に成長させることが可能となる。従って、このシリコン積層体20を太陽電池等に適用した場合、その光電変換効率の向上が図れ、かつシリコン膜が剥離し難いためその物理的耐性も向上すると共に、シリコン層と裏面電極との間のオーミック性接合も可能となる。

請求項（抜粋）：

SiC基材と、このSiC基材表面に形成されたSiCx (但し、0<x<1)より成る中間膜と、この中間膜上に製膜された多結晶シリコン膜とで構成されることを特徴とするシリコン積層体。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04