特許

J-GLOBAL ID：200903050838292154

スパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体およびその製造方法

発明者： 高梨 昌二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111088
公開番号（公開出願番号）：特開平10-297962
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】 異常放電の発生がなく、安定して、特性の優れたZnO-Ga2O3系膜を成膜することができるスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体、およびこの焼結体を、安い製造コストで、かつ大型のものも含めて製造することができる方法を提供する。【解決手段】 本発明の焼結体は、Gaが固溶したZnO相が主な構成相である焼結体において、(1)焼結密度が5.2g/cm3 以上、(2)体積抵抗率がターゲット深さ方向で一様に2×10-2Ω・cm以下、(3)平均結晶粒径が2〜10μm、かつ(4)最大空孔径が2μm以下であることを特徴とする。また、上記焼結体を製造する本発明方法は、酸化亜鉛粉末に酸化ガリウム粉末を添加して混合し、混合粉末を成形し、成形物を常圧で焼結する方法において、(1)平均粒径が1μm以下の該酸化亜鉛粉末と、平均粒径が1μm以下の該酸化ガリウム粉末とを用い、(2)該成形を冷間で行い、(3)酸素を導入しながら1300〜1550°Cで該焼結を行い、(4)該焼結を行った後、還元を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Gaが固溶したZnO相が主な構成相である焼結体において、(1)焼結密度が5.2g/cm3 以上、(2)体積抵抗率がターゲット深さ方向で一様に2×10-2Ω・cm以下、(3)平均結晶粒径が2〜10μm、かつ(4)最大空孔径が2μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/453 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34

FI (3件)：

C04B 35/00 P ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/34 A