特許
J-GLOBAL ID：200903050838985893
スクッテルダイト系熱電材料およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 英毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195855
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040860
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 スクッテルダイト系化合物からなる熱電材料において、その熱伝導率を大幅に下げ、これにより性能指数を大きくする手段を提供する。【解決手段】 その平均結晶粒径が1μm以下であるスクッテルダイト系熱電材料。また、原料を粉砕して平均粒径1μm以下の粉末にし、この粉末を温度300〜700°C、圧力2MPa以上で20時間以内加圧焼結して、平均結晶粒径が1μm以下の焼結体を製造するスクッテルダイト系熱電材料の製造方法。また、メカニカルアロイング法により原料の粉砕・混合と一部合金化を行なって、平均粒径1μm以下の粉末にする上記の製造方法。さらに、前記の加圧焼結をプラズマ放電焼結法により行なう上記の製造方法。
請求項（抜粋）：
スクッテルダイト型結晶構造を有するAB3型(ここで、元素AはCo,Rh,Ir,のうちの一種以上、元素BはP,As,Sbのうちの一種以上からなる)化合物、一般式A1-XMX(B1-yNy)3(ここで、Mは元素Aと置換する元素でx=0〜0.2、Nは元素Bと置換する元素でy=0〜0.2)で表わされる置換型化合物又は一般式AB3Cz(ここで、Cはスクッテルダイト型結晶構造内に侵入する元素でz=0〜0.3)で表わされる侵入型化合物からなる熱電材料であって、その平均結晶粒径が1μm以下であるスクッテルダイト系熱電材料。
IPC (7件)：
H01L 35/14
, C22C 1/04
, C22C 12/00
, H01L 35/18
, H01L 35/34
, B22F 1/00
, B22F 3/14
H01L 35/14
, C22C 1/04 E
, C22C 12/00
, H01L 35/18
, H01L 35/34
, B22F 1/00 E
, B22F 3/14 101 B
