特許
J-GLOBAL ID：200903050839496497
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031623
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223429
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】 光励起の面発光型半導体レーザ装置において、低電流での直接変調を可能にする。【解決手段】 励起用に発振波長が810nmのブロードエリア型半導体レーザ素子31を用い、面発光型半導体素子23のGaAs基板11側が取り付けられた穴あきヒートシンク33と、外部ミラー35と、該外部ミラー35の凹面と面発光型半導体素子23の多層光学フィルタ13とにより構成される共振器内に波長選択素子34を設け、さらに面発光型半導体素子23に直流バイアス回路95と、信号源96と、変調回路97と、ミキサー98とからなる変調手段を設けて半導体レーザ装置を構成する。半導体レーザ素子31からの810nmの励起光36は、集光レンズにより面発光型半導体素子23に集光され、面発光型半導体素子23の光閉じ込め層14、16および多重量子井戸活性層15により効率よく吸収されて、波長約980nmのレーザ光37が出力される。面発光型半導体素子に設置した変調回路により面発光型半導体素子のpn接合に電圧を印加し変調する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子からなる励起光源と、該励起光源により励起され、該励起光源が発する励起光の波長より長波長の光を発する、基板上に活性領域と該活性領域の前記基板側あるいは前記基板と反対側に形成されたミラーを有する面発光型半導体素子と、該面発光型半導体素子の外部に配置され、前記ミラーと外部共振器を形成する少なくとも一つの外部ミラーとを備えた半導体レーザ装置において、前記面発光型半導体素子に変調手段を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA62
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB16
, 5F073AB27
, 5F073CA07
, 5F073DA31
, 5F073EA24
, 5F073GA03
, 5F073GA24
