特許

J-GLOBAL ID：200903050844384869

圧電セラミック体

発明者： シュテファン ヘネック
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-520484
公開番号（公開出願番号）：特表2003-508922
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2003年03月04日
要約：

【要約】圧電セラミック材料から成る上下に重ねて配置された多数の絶縁層(20)を備え、該絶縁層(20)を少なくとも区域的に、電極材料から成る導体層(10,10′)によって相互に仕切った形式の、角柱体の形態の圧電セラミック体(5)が提案される。本発明の絶縁層(20)は、平面図で見れば少なくともほぼn角形、特に正n角形の形態を有し、但しn>4であり、殊に六角形、八角形又は十角形の形態を有している。しかも本発明では、2層の隣接した絶縁層(20)が、該絶縁層(20)の外縁に沿って区域的に位置する細いデッドゾーン(11)の領域でのみ互いに直接接触するように、前記導体層(10,10′)は前記絶縁層(20)を夫々被覆している。

請求項（抜粋）：

圧電セラミック体であって、圧電セラミック材料から成る上下に重ねて配置された多数の絶縁層(20)が設けられており、該絶縁層を少なくとも区域的に、電極材料から成る導体層(10,10′)によって相互に仕切った形式のものにおいて、 少なくとも絶縁層(20)が、平面図で見れば少なくともほぼn角形の形態を有し、但しn>4であるとし、かつ、2層の隣接した絶縁層(20)が、該絶縁層(20)の外縁に沿って区域的に位置する細いデッドゾーン(11)の領域でのみ互いに直接接触するように、導体層(10,10′)が前記絶縁層(20)を夫々被覆していることを特徴とする、圧電セラミック体。

IPC (2件)：

H01L 41/083 ,  H01L 41/187

FI (2件)：

H01L 41/08 S ,  H01L 41/18 101 D