特許

J-GLOBAL ID：200903050846643144

酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜

発明者： 小原 剛 ,  阿部 能之
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350207
公開番号（公開出願番号）：特開2006-160535
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】 極めて平滑で、抵抗が低く、非晶質である透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を安定的に成膜可能な酸化物焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 インジウム、タングステン、亜鉛、シリコンおよび酸素からなり、タングステンがW/In原子数比で0.004〜0.034、亜鉛がZn/In原子数比で0.005〜0.032、シリコンがSi/In原子数比で0.007〜0.052の割合で含有し、かつ、ビックスバイト型構造の酸化インジウム結晶相を主相とする酸化物焼結体とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

インジウム、タングステン、亜鉛、シリコンおよび酸素からなり、タングステンがW/In原子数比で0.004〜0.034、亜鉛がZn/In原子数比で0.005〜0.032、シリコンがSi/In原子数比で0.007〜0.052の割合で含有され、かつ、ビックスバイト型構造の酸化インジウム結晶相を主相とすることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (6件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 1/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28

FI (6件)：

C04B35/00 J ,  C23C14/08 D ,  C23C14/34 A ,  H01B1/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28

Fターム (29件)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G030AA24 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4K029BA45 ,  4K029BC05 ,  4K029BC08 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA27 ,  5G301CA30 ,  5G301CD03 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭61-136954号公報
  
• 特開昭62-202415号公報
  
• 特許第3224396号公報