特許

J-GLOBAL ID：200903050851779330

CMOSトランジスター素子の方形型セル

発明者： 柯 明道 ,  呉 重雨 ,  黄 建章 ,  呉 昭能 ,  兪 大立
出願人/特許権者： 華邦電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280936
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134966
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】集積回路において、比較的小さなレイアウト面積で大幅に出力回路の駆動/受け力、及びPMOS及びNMOS素子の出力/入力部位における静電保護回路の保護力を向上させる、CMOSトランジスター素子の方形型セルの実現方式を提供すること。【手段】本発明の電子素子は第1の環状部(43)と、完全に前記第1の環状部(43)と分離した状態で、その内部に位置する第2の部分(41)と、前記第1の環状部(43)と第2の部分(41)との間に配置され、第1の状態において前記第1の環状部(43)と第2の部分(41)とを導通させ、そして第2の状態において前記第1の環状部(43)と第2の部分(41)とを絶縁させる第3の環状部(42)とを備えてなる

請求項（抜粋）：

第1の環状部と、前記第1の環状部と分離した状態で、その内部に位置する第2の部分と、前記第1の環状部と第2の部分との間に配置され、第1の状態において前記第1の環状部と第2の部分とを導通させ、そして第2の状態において前記第1の環状部と第2の部分とを絶縁させる第3の環状部とを備えてなる電子素子。

IPC (2件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012362   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-119373   出願人：関西日本電気株式会社
• 高耐圧型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333077   出願人：三菱電機株式会社