特許

J-GLOBAL ID：200903050856129082

SOI基板の製造方法

発明者： 佐藤 弘 ,  伊沢 伸幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297629
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109678
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板の貼り合わせ後の貼り合わせ強度を高めるための熱処理の際に発生する所謂スリップ(結晶欠陥の一種)を防止する。【構成】 貼り合わせにかかるシリコン基板1,2を面取り加工し、次いで薄膜化した後に、熱処理する。すると熱処理の際には、一方のシリコン基板1が薄膜化したシリコン薄膜4となっているために、熱ストレスが緩和された状態となり、スリップの発生が防止されることになる。

請求項（抜粋）：

貼り合わせられた一対のシリコン基板の外周部の面取り加工の後、一方のシリコン基板を薄膜化し、次いで該シリコン基板の熱処理をすることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 27/12