特許

J-GLOBAL ID：200903050863114554

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 梶山 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057369
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266220
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】磁気ランダムアクセスメモリの積層セルアレイの各段アレイに形成された書き込み配線に流れる書き込み電流の値を各段で等しくなるようにし、書き込みマージンの少ないTMR素子の誤書き込みを防止する。【解決手段】TMR素子10のアレイが複数段に積み重ねられた積層セルアレイと、各段のアレイ内に配置され、書き込み線駆動電流源からの配線距離が長いものほど寄生抵抗の値が小さくなるように形成されている書き込み配線13と、各段の書き込み配線に共通に接続されて各段の書き込み配線を並列に接続するコンタクトプラグ16とを具備する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

2つの磁性層により絶縁層を挟んだ構造を有するTMR素子のアレイが複数段に積み重ねられた積層セルアレイと、 前記積層セルアレイの各段の前記アレイ内に配置され、前記TMR素子に書き込みを行うための書き込み電流が供給され、書き込み線駆動電流源からの配線距離が長いものほど寄生抵抗の値が小さくなるように形成されている書き込み配線と、 前記積層セルアレイの各段の書き込み配線に共通に接続されて各段の書き込み配線を並列に接続するように各段のアレイの両端部において上下方向に形成され、前記書き込み線駆動電流源からの書き込み電流を前記書き込み配線に供給するためのコンタクトプラグ とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 120

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19