特許
J-GLOBAL ID：200903050865058970
半導体圧力センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311449
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162019
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板上に構成した歪検出素子用の絶縁層の良否検出を容易にし、陽極接合時に絶縁層の絶縁破壊を防止し、ノイズや静電気に対して安定なSOI構造の圧力センサを得る。【構成】 シリコン基板1のダイアフラム7対応部にSOI構造の歪検出素子を設け、シリコン基板1に接続する電極6を設けたこと。
請求項（抜粋）：
シリコン基板にダイアフラムを形成し、当該ダイヤフラムに対応するシリコン基板面部に絶縁層を設け、当該絶縁層上に歪検出素子を設けたSOI構造の圧力センサにおいて、歪検出素子面側に上記シリコン基板に接続する電極を設けて成ることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 1/22
, G01L 9/04
