薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250780
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090586
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタのリーク電流を低減し、駆動電流を増大する。【構成】シリコン基板1に酸化シリコン膜2を形成したのち、ポリシリコンを堆積する。つぎにゲ-ト酸化膜7を堆積したのち、チャネルイオン注入を行なってN- 型チャネル領域6を形成する。つぎにゲート電極8を形成し、フォトレジスト(図示せず)をマスクとしてイオン注入してソース3およびドレイン4を形成する。このときドレイン4側にドレインオフセットLを設ける。つぎに層間絶縁膜9を堆積したのち、ドレイン4の一部、ドレインオフセットL、ゲート電極8とオーバーラップするように、上層サブゲート10を形成する。さらに酸化シリコン膜2に下層サブゲート11を設けることもできる。

請求項（抜粋）：