特許

J-GLOBAL ID：200903050869025561

伝導度変調型MOSFETの製造方法

発明者： 萩野 浩靖
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151695
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343667
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 IGBTのスイッチング動作を早くし、寄生サイリスタのラッチアップを起こすこと無しにVthを低くするようにすることを目的とする。【構成】 バイポーラトランジスタの動作を、そのトランジスタのエミッタ領域,ベース領域および伝導度変調層とそれらにまたがるように形成されたゲート電極とで構成されるMOSFETで制御するIGBTの製造において、工程1の電子線照射で伝導度変調層に損傷を与え、その伝導度変調層における小数キャリアのライフタイムを短くして、工程3の電子線照射でゲート酸化膜に損傷を与えVthを下げる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1導電型の第1の不純物半導体層と、前記第1の不純物半導体層の上に形成された第2導電型の第2の不純物半導体層と、前記第2の不純物半導体層の上に選択的に形成された第1導電型の第3の不純物半導体層と、前記第3の不純物半導体層の上に選択的に形成された第2導電型の第4の不純物半導体層と、前記第2の不純物半導体層の上にその両端が前記第3の不純物半導体層と第4の不純物半導体層との上に架かるように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成されたゲート電極とから構成され、前記第1の不純物半導体層,第2の不純物半導体層,第3の不純物半導体層,第4の不純物半導体層から構成されるバイポーラ型のトランジスタ部を、前記第2の不純物半導体層、第3の不純物半導体層、第4の不純物半導体層と絶縁層,ゲート電極とで形成されるMOSFET部で制御する伝導度変調型MOSFETの製造方法において、電子線を前記基板に照射する第1の工程と、前記第1の工程に次いで前記基板を加熱してアニールする第2の工程と、前記第1の工程より低いエネルギーの電子線を前記基板に照射する第3の工程と、前記第3の工程に次いで前記第2の工程より低い温度で前記基板を加熱してアニールする第4の工程とを含む伝導度変調型MOSFETの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 P