特許

J-GLOBAL ID：200903050873777314

半導体装置の製造方法

発明者： 伊東 英樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337602
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164693
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、LOCOS酸化時におけるオフセット不純物拡散層の不純物の偏析を抑制して、LOCOS酸化膜及びオフセット不純物拡散層によって良好な素子分離を行い、素子領域に形成する半導体装置の特性を良好かつ安定したものにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Si基板10上にSiO2 膜12及びSiN膜14を形成し、このSiN膜14をその上に形成した第1のレジストパターン16をマスクとするエッチングによりパッドSiN膜14aに加工した後、UVキュアにより第1のレジストパターン16を硬化させる。続いて、Si基板10上に第2のレジストパターン20を形成し、第1及び第2のレジストパターン16、20をマスクとして十分に高いエネルギーでSi基板10に不純物イオン22を注入して、Si基板10中の所定の深さDに不純物イオン注入層24を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する第1の工程と、前記絶縁膜上にレジストを塗布した後、前記レジストを所定の形状にパターニングして、素子形成予定領域にパッド絶縁膜加工用マスクとしての第1のレジストパターンを形成する第2の工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を選択的にエッチング除去し、前記絶縁膜からなるパッド絶縁膜を形成する第3の工程と、前記第1のレジストパターンの硬化処置を行う第4の工程と、基体全面にレジストを塗布した後、前記レジストを所定の形状にパターニングして、不純物イオン注入用マスクとしての第2のレジストパターンを形成する第5の工程と、前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板に所定の不純物イオンを注入する第6の工程と、前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンを除去した後、前記パッド絶縁膜をマスクとして前記半導体基板表面を選択的に熱酸化して、前記半導体基板上にフィールド酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板に注入した前記所定の不純物イオンの活性化及び活性化した不純物の拡散を行い、前記フィールド酸化膜下面と前記半導体基板との界面にオフセット不純物拡散層を形成する第7の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/76 S ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 R

Fターム (18件)：

4M108AB04 ,  4M108AB09 ,  4M108AB13 ,  4M108AB36 ,  4M108AC42 ,  4M108AD13 ,  5F032AA14 ,  5F032AC01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA25 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53 ,  5F040DA00 ,  5F040DA14 ,  5F040EK01 ,  5F040EK02 ,  5F040FC02 ,  5F040FC21