特許
J-GLOBAL ID：200903050876668370
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128372
公開番号（公開出願番号）：特開平5-325874
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 金属汚染を生じさせないイオン注入装置を低コストで実現する。【構成】 質量分析部を構成するチャンバ14の内壁にシリコン板25を覆った構造とすることにより、イオンビームによる金属のスパッタを防止し、ウエハの金属汚染を防止する。このため、ウエハに形成されるトランジスタのリーク電流を低減することが可能となる。
請求項（抜粋）：
イオン源と、該イオン源から引き出されたイオンのうち所定の質量のイオンを取り出す質量分析部と、該質量分析部からのイオンビームを加速する加速部と、該加速部で加速されたイオンビームをX,Y方向に走査する走査部とを備えたイオン注入装置において、前記質量分析部の内壁を、シリコン板で覆ったことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (5件)：
H01J 37/317
, H01J 27/02
, H01J 37/05
, H01J 49/26
, H01L 21/265
