特許

J-GLOBAL ID：200903050877644491

半導体装置の製造方法

発明者： 塩谷 喜美 ,  青山 正明
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250056
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104222
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】本発明は、バリアメタル膜/アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜を含む多層の導電体膜を選択的にドライエッチングして配線層等を形成する半導体装置の製造方法に関し、バリアメタル膜/Al膜等の境界でのAl膜等のサイドエッチングを防止し、かつチャンバ内を清浄に保持することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】基体上に形成された、少なくともバリアメタル膜/アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜からなる2層の導電体膜のエッチングを行う半導体装置の製造方法において、第1の流量のBCl3 ガスと第2の流量のCl2 ガスとの混合ガスにより前記アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜をエッチングする工程と、前記第1の流量よりも多い第3の流量のBCl3 ガスと前記第2の流量のCl2 ガスとの混合ガスにより前記バリアメタル膜をエッチングする工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された、少なくともバリアメタル膜とアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜とを順に積層した導電体膜のエッチングを行う半導体装置の製造方法において、第1の流量のBCl3 ガスと第2の流量のCl2 ガスとの混合ガスにより前記アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜をエッチングする工程と、前記第1の流量よりも多い第3の流量のBCl3 ガスと前記第2の流量のCl2 ガスとの混合ガスにより前記バリアメタル膜をエッチングする工程とを有する半導体装置の製造方法。